三星率先利用25納米工藝量產DRAM

韓國朝鮮日報 – 2012年11月7日 下午5:29

三星電子在全球存儲芯片業界首次利用25納米工藝批量生產DRAM。三星電子6日在首爾新羅酒店以各企業相關人員為對象舉行“2012年三星存儲芯片處理CIO研討會”。三星電子表示,10月成功利用25納米工藝批量生產了市場主力產品4Gb DDR3 DRAM。納米工藝是芯片生產過程中使用的高新微精工藝,數字越小,芯片生產率就越高或芯片性能越好。其間三星電子主要利用30至40納米級工藝生產DRAM。公司方面表示,計劃明年大力增加被命名為“第四代綠色存儲芯片”的25納米工藝存儲芯片生產量。三星電子表示,使用第四代綠色存儲芯片,比目前在市場銷售的40納米級DRAM或HDD基礎系統,處理速度高6倍以上,電力可節省20至60%。三星電子計劃明年把第四代綠色存儲芯片作為主力產品進行生產。業界預測,存儲芯片市場今年觸底,明年將重新回升。市場調查企業高德納諮詢公司(Gartner)預測,今年世界DRAM市場規模比去年減少了4%,而明年將比今年增長9%以上。該公司又說,明年世界nand閃存市場有望增長23.1%。目前三星電子在世界DRAM市場佔有率為39.4%,排名首位,nand閃存市場佔有率為42.5%,也是首位。   【 延伸閱讀 】■ 更多新聞請看朝鮮日報

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