布局記憶體封測 台廠競爭卡位

中央社 – 2014年1月11日 上午11:42

(中央社記者鍾榮峰台北11日電)記憶體大廠美光擴大委外封裝合作,東芝新廠可望今年量產。日月光、力成、南茂、華東等台廠積極布局,今年記憶體封測競爭卡位,勢必激烈。

展望今年,國際記憶體大廠集中資源開發前端製程,包括動態隨機存取記憶體(DRAM)和快閃記憶體(Flash)後段封測可能擴大委外,封測台廠考量自身發展,積極與國際大廠洽商合作。

美光(Micron)去年以20億美元買下日本記憶體大廠爾必達(Elpida),提高美光全球DRAM市占率約1倍。

為進一步整合DRAM封測業務,去年下半年美光著手洽商DRAM後段封測夥伴,計畫在中國大陸西安建立標準型DRAM(Commodity DRAM)封裝產線,配合美光原先在西安設立的DRAM測試廠。

產業人士指出,美光在西安計畫新設DRAM封裝產線,除了業務整合外,也希望穩定自身DRAM封裝與測試產線於同一定點。從市場考量,西安持續提供招商優惠,美光也可就近供應中國大陸市場需求。

產業人士表示,美光計畫擴大委外DRAM後段封裝,以專注開發前端記憶體高階製程,今年整合DRAM後段封測業務,腳步會加快。

法人透露,美光已陸續與日月光、力成、華東、南茂和矽品等封測台廠,洽商在西安合作DRAM封裝產線事宜。

產業人士指出,日月光計畫重回記憶體封測領域,擴大營收規模,日月光與美光雙方合作意願頗高,不排除日月光與美光今年合作DRAM封裝的可能性。

不過法人表示,美光DRAM封裝合作對象尚未定案,目前仍在洽談中。

從封裝設備角度來看,產業人士表示,邏輯晶片和記憶體之間封裝設備大同小異,DRAM封裝產線也多採用打線封裝,彼此可相互支援,加上日月光先前也曾透過日月鴻切入記憶體封測領域,日月光若重回記憶體封裝領域,預估封裝設備機台支出不大。

若日月光布局DRAM記憶體封裝,對南茂、力成和華東記憶體封測台廠將形成激烈競爭壓力。

觀察美光DRAM封裝委外比重,法人預估,其中大約4成到5成由美光自力完成,約2成多委外由南茂封裝,約1成多到2成由力成封裝。

特定封測台廠也曾仔細考慮與美光合作記憶體測試的可能性,測試毛利率較高,而在DRAM後段封裝,台廠沒有太多主動空間。

其他封測台廠考量西安設廠環境、距離與自身發展規劃,對與美光合作DRAM封裝態度相對觀望,但持續關注美光委外DRAM後段封裝的發展態勢。

另一方面,東芝(Toshiba)和晟碟(SanDisk)合資興建的NAND型快閃記憶體(NAND Flash)新廠,預估今年可開始量產採用先進細微化技術的高性能NAND Flash產品。

法人表示,目前東芝NAND型快閃記憶體主要委由力成和艾克爾(Amkor)封測。東芝新廠和既有NAND型快閃記憶體封測委外訂單,包括力成、華東和南茂等,今年積極布局,競爭勢必相當激烈。

產業人士指出,美光也規劃逐步委外釋出位於新加坡NAND型快閃記憶體封測廠的測試業務。目前美光NAND型快閃記憶體測試,除了美光自己測試外,部分也委由力成。若美光計畫擴大釋出測試訂單,力成以及華東也將積極切入。

整體觀察,國際記憶體大廠今年集中火力開發前端製程,進一步整合封測業務,擴大後段封測委外,封測台廠正積極布局,密切觀察局勢發展。今年台廠在記憶體封測領域,競爭卡位態勢將較以往更加激烈。1030111

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