聯電與ARM擴大28奈米合作 年初量產 鎖定平價行動應用

作者: 鉅亨網記者尹慧中 台北 | 鉅亨網 – 2014年1月14日 下午3:20

ARM與全球晶圓專工大廠聯電(2303-TW)(UMC-US)今(14)宣布擴大合作協議,將提供ARM Artisan實體IP與POP IP供聯電28HLP製程使用。針對鎖定智慧手機、平板、無線與數位家庭等各式平價消費性應用的客戶,聯電與ARM將透過本協議,提供先進製程技術與全方位實體IP平台。聯電目前正針對客戶產品以28HLP製程進行試產,預計2014年初開始量產。 聯電負責矽智財研發設計支援的副總簡山傑指出,聯電秉持著United for Excellence共創卓越的精神,與IP供應商通力合作,為晶圓專工客戶提供高價值的設計支援解決方案。聯電28奈米雙製程發展路徑包括了多晶矽(poly SiON)與高介電常數金屬閘極(HKMG)技術。

他強調,聯電無論是在功耗、效能與晶片面積等各個層面,28HLP製程均是晶圓專工業界最具競爭力的多晶矽28奈米技術,還有強大的設計平台可協助行動與通訊產業客戶加速產品上市時間,很高興能擴大與ARM之間的合作關係,以ARM大受歡迎的POP IP核心硬化加速技術(core-hardening acceleration technology),進一步強化聯電的28HLP平台。

低耗能的ARM Cortex-A7處理器已廣為智慧手機、平板、數位電視等消費性產品所採用。Cortex-A7處理器的ARM POP IP鎖定聯電1.2GHz的28HLP平台於2013年12月開始出貨。 聯電表示,28HLP製程為其28奈米多晶矽製程的加強版,可在體積、速度與耗電之間取得最佳化平衡。該製程因上述特色,成為可攜式、無線區域網路、有線/手持式消費性產品等具有低耗電高效能需求的各式應用之最佳選擇。聯電目前正針對客戶產品以28HLP製程進行試產,預計2014年初開始量產。

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