聯電 攜ARM攻28HLP

作者: 記者涂志豪╱台北報導 | 中時電子報 – 2014年1月15日 上午5:30

工商時報【記者涂志豪╱台北報導】

晶圓代工廠聯電昨(14)日宣布與處理器矽智財廠英商安謀(ARM)擴大合作,聯電將在28奈米高效能低功耗(28HLP)製程上,提供加入ARM Cortex-A7處理器Artisan實體矽智財(PHY IP)平台與處理器優化套件矽智財(POP IP)。而聯電去年底28奈米已經量產,今年上半年將放量投片。

聯電表示,為支援各種不同消費電子產品客戶,諸如智慧型手機、平板電腦、無線通訊與數位家庭等,聯電與ARM簽署了此份協議,將提供先進製程以及完整的實體IP平台。

聯電負責矽智財與設計支援的副總經理簡山傑表示,聯電與矽智財供應商密切合作,提供優質設計支援解決方案給客戶,聯電28奈米的雙製程技術藍圖,同時包含了多晶矽氮氧化矽(Poly SiON)與高介電金屬閘極(HKMG)技術,就功耗、效能與面積而言,28HLP是具競爭力的28奈米Poly SiON製程技術,完善的設計平台可協助行動與通訊產品客戶加速其產品上市時程。

高效節能的ARM Cortex-A7處理器現已廣獲智慧型手機、平板電腦、數位電視與其他消費電子產品所採用。結合POP IP所優化的Cortex-A7處理器,在聯電28HLP製程平台的目標效能可達1.2GHz,已於2013年12月推出。

聯電表示,28奈米Poly SiON技術可提供面積,速度與漏電流之間最佳的平衡,因而此製程成為像是可攜式、無線區域網路、消費性手持產品等各種需兼顧低功耗與高效能應用產品的理想選擇。28HLP製程目前已在客戶產品試產階段,預計於2014年初開始量產。

聯電28奈米HKMG製程預估今年上半年進入量產階段,並已開始為手機晶片廠進行試產,法人表示,28奈米將成為聯電今年營收成長的主要動能。

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